- z powrotem
- Opis
- Dane techniczne
- Specyfikacja otworu
- Przetwarzanie
- Opakowanie
- Pliki do pobrania
- Zapytanie dotyczące zapasów
hm2.0 dolna blacha osłonowa, typ B25 Nr artykułu. 244-21600-1

Zdjęcie podobne
Pod kątem prostym
Technologia Press-fit
- 25 kontaktów
- Długość przewodu: 3,4 mm
- dla płytek o grubości co najmniej 1,44 mm
- przetestowane zgodnie z normą IEC 61076-4-101
Dane techniczne
Podstawy
| Specyfikacja | IEC 61076-4-101 |
|---|---|
| Poziom jakości | 2 |
| Liczba kontaktów | 25 |
| Technologia połączeń | Technologia Press-fit |
| Długość połączenia | 3,4 mm |
| Temperatura pracy | od -55°C do +125°C |
Materiał
| Materiał kontaktowy | Brąz |
|---|
Mechaniczny
| Wymiar siatki | 2,0 mm |
|---|---|
| Siła nacisku na styk | Ekranowanie: maks. 1 N |
| Siła ciągnąca na styk | Ekranowanie: min. 0,15 N |
| Żywotność | > 250 cykli wtykania |
Elektryczny
| Prąd roboczy | 1,5 A przy +20°C, 1,0 A przy +70°C |
|---|---|
| Rezystancja styków | maks. 20 mΩ |
| Odporność izolacji | min. 104 MΩ |
| Napięcie testowe | 750 V (wartość skuteczna) |
| Transmisja danych | 3,125 Gb/s |
Zatwierdzenia / zgodność
| Środowisko | Zgodność z dyrektywą RoHS |
|---|
Specyfikacja otworu

| Material | chem. Sn Schicht |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | max. 1.5 µm; chem. Sn Leiterplatten |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | Ni, Au Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | Ni, Au Schicht, 0.05 - 0.2 µm Au über 2.5 - 5 µm Ni |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | rein Cu Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | OSP*,z.B. GLICOAT-SMD (F2) mit 0.12 - 0.15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
| Material | HAL Sn Leiterplatten |
|---|---|
| Nennloch | Ø 0.6 mm |
| A Leiterplattendicke | min. 1,44 mm |
| B Endloch | Ø 0.60 ±0.05 mm |
| C Grundbohrung | 0.70 ±0.02 mm |
| D Cu Schicht | min. 25 µm |
| E Oberfläche | HAL Sn, 5 - 15 µm |
| F Restring | min. 0.1 mm |
Struktura warstwowa zgodna z normą IEC 60352-5
Przetwarzanie
szczypce
Einpresswerkzeug für hm2.0 unteres Schirmblech 5 reihig
Artikelnummer 884-740-W2
Opakowanie
Taca
24 szt. / tacka
25 tacek / pudełek
